高純度スズ系ペロブスカイト半導体膜の作製法確立

太陽光発電 2020/06/16 15:00

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　科学技術振興機構（JST）は6月16日、京都大学化学研究所の若宮淳志教授ら10名の研究グループが、スズ系ペロブスカイト前駆体溶液中の4価のスズ不純物を系中で取り除く手法を開発したことを発表した。これにより、優れた半導体特性を示す、高純度スズ系ペロブスカイト半導体膜の作製法を確立できたとする。

〔参照〕
▷科学技術振興機構：高純度スズ系ペロブスカイト半導体膜の作製法を確立～４価のスズ不純物を取り除くスカベンジャー法の開発～

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